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簡要描述：化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質量與高性能的固體材料。因此，該制程通常在半導體工業(yè)中用于制造薄膜。

簡要描述：PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

簡要描述：帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置，用于無油、高產量和潔凈的化學氣相沉積過程。

簡要描述：等離子沉積設備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

簡要描述：化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。

簡要描述：三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

簡要描述：SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

簡要描述：原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

簡要描述：PECVD等離子沉積設備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，它結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載片的成本效益設計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標準應用開始，可以逐步升級以完成復雜的工藝。

簡要描述：帶預真空室的化學氣相沉積設備PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。