反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

因此，RIE製程是化學(xué)物理蝕刻製程，也是半導(dǎo)體製造中用於構(gòu)造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質(zhì)的薄膜。

根據(jù)蝕刻技術(shù)的不同，等離子體蝕刻技術(shù)可以分為三類(lèi)：純物理性質(zhì)的沖擊蝕刻、純化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)蝕刻和物理化學(xué)反應(yīng)的沖擊蝕刻。純粹的物理沖擊顯然與濺射物理學(xué)相似，氬元素（Ar）是由電離輝光釋放而成，利用氬離子的力量，將氬離子陰極微金屬?zèng)_擊在陰極板（晶圓）的位置，沖擊通過(guò)薄薄的頂層，氬離子陷阱蝕刻以再生轟擊，從而加速其實(shí)現(xiàn)蝕刻目標(biāo)。以這種方式轟擊粒子實(shí)現(xiàn)的蝕刻被稱(chēng)為具有純物理特性的沖擊蝕刻，因?yàn)樗菍⒓兡芰哭D(zhuǎn)化為物理特性。物理性質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)是激勵(lì)波明顯分離加速和強(qiáng)定向，因此輪廓清晰，轉(zhuǎn)向圈具有良好的寬度和高各向異性。然而，通過(guò)純粹的物理沖擊實(shí)現(xiàn)蝕刻目標(biāo)的缺點(diǎn)是，當(dāng)要蝕刻的薄膜被蝕刻時(shí)，暴露在等離子體上的金屬涂層也被蝕刻，導(dǎo)致蝕刻的選擇性比率很差。這是因?yàn)榻饘匐x子也會(huì)接觸到涂層基材，所以刻蝕的終點(diǎn)也需要精密控制，以避免造成基層的破壞。此外，由于受沖擊的材料通常是固體顆粒，這種化合物可以沉積在刻蝕膜的表面和側(cè)壁上，導(dǎo)致涂膜下的材料表面出現(xiàn)材料染色。

然后通過(guò)等離子體擴(kuò)散到未拉伸的薄膜和薄膜層材料的表面化學(xué)反應(yīng)基團(tuán)中，產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，純化學(xué)反應(yīng)，化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)生的物質(zhì)帶有高度揮發(fā)性，并隨著未反應(yīng)的物質(zhì)一同被排出反應(yīng)腔體。純化學(xué)反應(yīng)蝕刻和濕法蝕刻一樣，也有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，如良好的刻蝕選擇性比率、各向同性的蝕刻、成本低。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器參數(shù)