主營(yíng)產(chǎn)品：
顯微鏡，激光共聚焦，電鏡，x射線，激光捕獲顯微切割，熒光成像系統(tǒng)，DNA/RNA合成儀，半導(dǎo)體行業(yè)儀器設(shè)備，生命科學(xué)儀器，光刻機(jī)，
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森泰克刻蝕機(jī)Etchlab 200 適用于氟基氣體以及氧氣、氬 氣等工藝氣體，具有非常高的工藝穩(wěn)定性和 重復(fù)性。升級(jí)增加預(yù)真空室后，可使用氯基 氣體、完成金屬、化合物半導(dǎo)體等的干法刻 蝕工藝。下電極適用于從4吋到8吋直徑的晶 圓片（更小的樣片可采用載片器進(jìn)樣）。
更新時(shí)間：2025-10-20
森泰克感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)SI 500干法刻蝕系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微納加工、MEMS制造等領(lǐng)域。它可以用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導(dǎo)體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。
更新時(shí)間：2025-10-20
簡(jiǎn)要描述：原子層蝕刻設(shè)備是一種的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
更新時(shí)間：2025-10-20
簡(jiǎn)要描述：感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的次級(jí)線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子。
更新時(shí)間：2025-10-20 簡(jiǎn)要描述：反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
更新時(shí)間：2025-10-20
簡(jiǎn)要描述：RIE等離子刻蝕機(jī)SI 591：預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。樣品直徑大可達(dá)200mm，通過(guò)載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項(xiàng)的小占地面積操作。
更新時(shí)間：2025-10-20
簡(jiǎn)要描述等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，可升級(jí)為更大的真空泵組，預(yù)真空室和更多的氣路。
更新時(shí)間：2025-10-20
簡(jiǎn)要描述：等離子刻蝕機(jī)由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。
更新時(shí)間：2025-10-20
簡(jiǎn)要描述：深硅刻蝕機(jī)三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。
更新時(shí)間：2025-10-20 簡(jiǎn)要描述：反應(yīng)離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
更新時(shí)間：2025-10-2018210898984
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